反向传输电容(Crss):33pF@10V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):340pF@10V,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):0.76V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,3.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 340pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.76V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.245/个 |
50+ | ¥0.198/个 |
150+ | ¥0.175/个 |
500+ | ¥0.157/个 |
3000+ | ¥0.122/个 |
6000+ | ¥0.115/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.122
3000 PCS/盘