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FDS89161LZ
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS89161LZ
- 商品编号
- C95003
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):105mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.3nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):302pF,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 302pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.29/个 |
| 10+ | ¥5.08/个 |
| 30+ | ¥4.47/个 |
| 100+ | ¥3.87/个 |
| 500+ | ¥3.51/个 |
| 1000+ | ¥3.33/个 |
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