反向传输电容(Crss):36pF,导通电阻(RDS(on)):165mΩ,导通电阻(RDS(on)):165mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):50nC,栅极电荷量(Qg):50nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):950pF,连续漏极电流(Id):19A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.03/个 |
| 10+ | ¥16.47/个 |
| 30+ | ¥12.08/个 |
| 90+ | ¥10.44/个 |
| 510+ | ¥9.7/个 |
| 1020+ | ¥9.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.1136
30 PCS/盘
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