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IMW65R039M1HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW65R039M1HXKSA1
- 商品编号
- C3278949
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 商品毛重
- 0.008千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):41nC,栅极电荷量(Qg):41nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):1393pF,输出电容(Coss):208pF,连续漏极电流(Id):46A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 1393pF | |
| 输出电容(Coss) | 208pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
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