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IMW120R030M1H
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW120R030M1H
- 商品编号
- C536280
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0083千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):2120pF,连续漏极电流(Id):56A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 2120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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