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SI4931DY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY 威世
- 厂家型号
- SI4931DY-T1-E3
- 商品编号
- C123306
- 商品封装
- SOIC-8_3.9x4.9x1.27P
- 商品毛重
- 0.000245千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,8.9A,数量:2个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):1.1W,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1V@350uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,8.9A | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@350uA |
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