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TN2106K1-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- TN2106K1-G
- 商品编号
- C145707
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):35pF,输出电容(Coss):17pF,连续漏极电流(Id):280mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@1.0mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA |
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