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FDC606P

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC606P
商品编号: C154517
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000046千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):423pF,导通电阻(RDS(on)):53mΩ@1.8V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):1699pF,输出电容(Coss):679pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	423pF
导通电阻(RDS(on))	53mΩ@1.8V
工作温度	-
数量	1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	25nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	12V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	1.6W
输入电容(Ciss)	1699pF
输出电容(Coss)	679pF
连续漏极电流(Id)	6A
阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA