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FDC6318P

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC6318P
商品编号: C157543
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.00003千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	-
导通电阻(RDS(on))	200mΩ@1.8V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	2个P沟道
栅极电荷量(Qg)	8nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	12V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	0.96W
输入电容(Ciss)	-
输出电容(Coss)	-
连续漏极电流(Id)	2.5A
阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA