温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC658AP
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDC658AP
- 商品编号
- C3280198
- 商品封装
- SuperSOT-6
- 商品毛重
- 0.000043千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):90pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):680pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.12/个 |
| 10+ | ¥1.87/个 |
| 30+ | ¥1.76/个 |
| 100+ | ¥1.62/个 |
| 500+ | ¥1.31/个 |
| 1000+ | ¥1.28/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.271
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴0.7%
一盘能省掉27元
送
换料费券¥300
库存总量
972 PCS电话
顶部
元器件购物车