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FDC6561AN-NB5S007A

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC6561AN-NB5S007A
商品编号: C17428172
商品封装: SUPERSOT-6
商品毛重: 0.000045千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

导通电阻(RDS(on)):95mΩ@10V,2.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.2nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):220pF@15V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on))	95mΩ@10V,2.5A
工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
数量	2个N沟道
栅极电荷量(Qg)	3.2nC@5V
漏源电压(Vdss)	30V
耗散功率(Pd)	700mW
输入电容(Ciss)	220pF@15V
连续漏极电流(Id)	2.5A
阈值电压(Vgs(th))	3V