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FDC6322C

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC6322C
商品编号: C3280200
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000046千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):9.5pF,导通电阻(RDS(on)):5Ω@2.7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):62pF,输出电容(Coss):35pF,连续漏极电流(Id):460mA,连续漏极电流(Id):0.46A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	9.5pF
导通电阻(RDS(on))	5Ω@2.7V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	0.7nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	25V
类型	N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)	0.9W
输入电容(Ciss)	62pF
输出电容(Coss)	35pF
连续漏极电流(Id)	460mA
连续漏极电流(Id)	0.46A
阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA