导通电阻(RDS(on)):48mΩ@4.5A,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):1160pF@10V,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5A,4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1160pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |