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FDC5614P

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品牌名称: onsemi(安森美)
厂家型号: FDC5614P
商品编号: C3280207
商品封装: SuperSOT-6
商品毛重: 0.000042千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):39pF,导通电阻(RDS(on)):0.135Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):759pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	39pF
导通电阻(RDS(on))	0.135Ω@4.5V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个P沟道
栅极电荷量(Qg)	24nC@10V
漏源电压(Vdss)	60V
类型	P沟道
耗散功率(Pd)	1.6W
输入电容(Ciss)	759pF
输出电容(Coss)	90pF
连续漏极电流(Id)	3A
阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA