反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):20Ω@2.8V,0.025A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.8nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):109pF,输出电容(Coss):16pF,连续漏极电流(Id):0.14A,阈值电压(Vgs(th)):1V@130uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@2.8V,0.025A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | 109pF | |
输出电容(Coss) | 16pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.14A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@130uA |