反向传输电容(Crss):185pF,导通电阻(RDS(on)):5mΩ@4.5V,20A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):58nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):66W,输入电容(Ciss):3840pF,输出电容(Coss):850pF,连续漏极电流(Id):98A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 185pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V,20A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 66W | |
输入电容(Ciss) | 3840pF | |
输出电容(Coss) | 850pF | |
连续漏极电流(Id) | 98A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |