射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):160MHz,直流电流增益(hFE):180@1mA,6V,耗散功率(Pd):200mW,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@50mA,5mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):150mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 160MHz | |
直流电流增益(hFE) | 180@1mA,6V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@50mA,5mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 150mA |