反向传输电容(Crss):55pF,反向传输电容(Crss):75pF,导通电阻(RDS(on)):73mΩ@2.5V,2A,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@10V,7.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):950pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):7.1A,连续漏极电流(Id):7.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
反向传输电容(Crss) | 75pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@2.5V,2A | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,7.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 950pF | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.367/个 |
100+ | ¥0.29/个 |
300+ | ¥0.251/个 |
3000+ | ¥0.223/个 |
6000+ | ¥0.2/个 |
9000+ | ¥0.188/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20516
3000 PCS/盘
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