反向传输电容(Crss):117pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@4.5V,4A,导通电阻(RDS(on)):48mΩ@2.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):952pF,输出电容(Coss):95pF,输出电容(Coss):131pF,连续漏极电流(Id):4.1A,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 117pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,4A | |
导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 952pF | |
输出电容(Coss) | 95pF | |
输出电容(Coss) | 131pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.336/个 |
100+ | ¥0.269/个 |
300+ | ¥0.236/个 |
3000+ | ¥0.21/个 |
6000+ | ¥0.19/个 |
9000+ | ¥0.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1932
3000 PCS/盘
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