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HC2M0080120K
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC2M0080120K
- 商品编号
- C19723862
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.0176千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):79nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):1475pF,输出电容(Coss):94pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | 1475pF | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.21/个 |
| 10+ | ¥21.551/个 |
| 30+ | ¥19.383/个 |
| 90+ | ¥17.183/个 |
| 510+ | ¥16.169/个 |
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