反向传输电容(Crss):14.8pF,导通电阻(RDS(on)):650mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):5.2nC@4.5V,耗散功率(Pd):446mW,输入电容(Ciss):146pF,输出电容(Coss):36.6pF,连续漏极电流(Id):780mA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 14.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
耗散功率(Pd) | 446mW | |
输入电容(Ciss) | 146pF | |
输出电容(Coss) | 36.6pF | |
连续漏极电流(Id) | 780mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |