反向传输电容(Crss):27pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):41W,输入电容(Ciss):1150pF,输出电容(Coss):31pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 27pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 41W | |
输入电容(Ciss) | 1150pF | |
输出电容(Coss) | 31pF | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |