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TSD18N20M
扩展库- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 厂家型号
- TSD18N20M
- 商品编号
- C2829044
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00046千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):71pF,导通电阻(RDS(on)):0.17Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):1240pF,输出电容(Coss):310pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.17Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 1240pF | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.126/个 |
| 50+ | ¥1.0996/个 |
| 150+ | ¥1.0821/个 |
| 500+ | ¥1.0646/个 |
| 510+ | ¥1.0646/个 |
| 520+ | ¥1.0646/个 |
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