导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.9nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):332pF,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
输入电容(Ciss) | 332pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |