导通电阻(RDS(on)):60mΩ@2.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1200mW,输入电容(Ciss):600pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1200mW | |
输入电容(Ciss) | 600pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |