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NCEP01T12
扩展库- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 厂家型号
- NCEP01T12
- 商品编号
- C216785
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00282千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):84.7nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):185W,连续漏极电流(Id):129A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 185W | |
| 连续漏极电流(Id) | 129A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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