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VP2206N3-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- VP2206N3-G
- 商品编号
- C220574
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.00005千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@5.0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.74W,输入电容(Ciss):450pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):0.64A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@10mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@5.0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.74W | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.64A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@10mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.0898/个 |
| 10+ | ¥13.327/个 |
| 30+ | ¥12.278/个 |
| 100+ | ¥11.218/个 |
| 500+ | ¥10.727/个 |
| 1000+ | ¥10.507/个 |
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