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2SK4150TZ-E
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- 2SK4150TZ-E
- 商品编号
- C6054316
- 商品封装
- TO-92
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):5.7Ω@4V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.7nC@4V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):750mW,输入电容(Ciss):80pF,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7Ω@4V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@4V | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 输入电容(Ciss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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