反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):625mW,输入电容(Ciss):50pF@25V,连续漏极电流(Id):400mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 625mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 400mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.49/个 |
10+ | ¥1.98/个 |
30+ | ¥1.77/个 |
100+ | ¥1.5/个 |
500+ | ¥1.38/个 |
1000+ | ¥1.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.196
10000 PCS/盘
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