反向传输电容(Crss):4.4pF,导通电阻(RDS(on)):1.6Ω@2.5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3nC@4V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):300pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |