反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):540mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):190V,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):1325pF@25V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 190V | |
耗散功率(Pd) | 3W | |
输入电容(Ciss) | 1325pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.379/个 |
50+ | ¥0.369/个 |
150+ | ¥0.363/个 |
500+ | ¥0.356/个 |
510+ | ¥0.356/个 |
520+ | ¥0.356/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.356
1000 PCS/盘