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G01N20RE
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G01N20RE
- 商品编号
- C1121840
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.000196千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):1.7A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.522/个 |
| 50+ | ¥0.511/个 |
| 150+ | ¥0.503/个 |
| 500+ | ¥0.495/个 |
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| 520+ | ¥0.495/个 |
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