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VP0106N3-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- VP0106N3-G
- 商品编号
- C632607
- 商品封装
- TO-92-3
- 商品毛重
- 0.0006千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):60pF@25V,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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