TN2106N3-G实物图
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TN2106N3-G

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品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
厂家型号
TN2106N3-G
商品编号
C632581
商品封装
TO-92-3
商品毛重
0.00045千克(kg)
包装方式
袋装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.74W,输入电容(Ciss):50pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.6V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)8pF
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V,500mA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)0.74W
输入电容(Ciss)50pF
连续漏极电流(Id)-
阈值电压(Vgs(th))0.6V

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