反向传输电容(Crss):20pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.7W,输入电容(Ciss):100pF@25V,连续漏极电流(Id):600mA,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,1.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.7W | |
输入电容(Ciss) | 100pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 600mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.81/个 |
10+ | ¥5.7/个 |
30+ | ¥5.08/个 |
100+ | ¥4.39/个 |
500+ | ¥4/个 |
1000+ | ¥3.86/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5512
2000 PCS/盘
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