反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):12.5Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):120pF,输出电容(Coss):20pF,连续漏极电流(Id):1.2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.523/个 |
| 50+ | ¥0.406/个 |
| 150+ | ¥0.347/个 |
| 1000+ | ¥0.311/个 |
| 2000+ | ¥0.276/个 |
| 5000+ | ¥0.258/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.28612
1000 PCS/盘
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