反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):76nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):357W,输入电容(Ciss):2159pF,输出电容(Coss):127pF,连续漏极电流(Id):76A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 76nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 357W | |
输入电容(Ciss) | 2159pF | |
输出电容(Coss) | 127pF | |
连续漏极电流(Id) | 76A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥25.164/个 |
10+ | ¥21.429/个 |
30+ | ¥19.908/个 |
90+ | ¥17.667/个 |
510+ | ¥16.632/个 |
990+ | ¥16.164/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.31536
30 PCS/盘
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