反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):245pF,输出电容(Coss):35pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |