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SE100150G
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE100150G
- 商品编号
- C238606
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.018千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3.81mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,连续漏极电流(Id):150A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.81mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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