反向传输电容(Crss):46pF@15V,导通电阻(RDS(on)):52mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1027pF@15V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1027pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.657/个 |
| 50+ | ¥1.294/个 |
| 150+ | ¥1.139/个 |
| 500+ | ¥0.945/个 |
| 3000+ | ¥0.815/个 |
| 6000+ | ¥0.763/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.763
3000 PCS/盘
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