反向传输电容(Crss):24pF@30V,反向传输电容(Crss):29pF@30V,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@4.5V,1.6A,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):18W,输入电容(Ciss):1229pF@30V,输入电容(Ciss):66pF@30V,连续漏极电流(Id):8A,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V,1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 输入电容(Ciss) | 1229pF@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 66pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.065/个 |
| 50+ | ¥1.622/个 |
| 150+ | ¥1.431/个 |
| 500+ | ¥1.134/个 |
| 3000+ | ¥1.0342/个 |
| 6000+ | ¥0.974/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.95146
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉248.22元