反向传输电容(Crss):722pF,导通电阻(RDS(on)):5.8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):115nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):7090pF,输出电容(Coss):930pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 722pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 输入电容(Ciss) | 7090pF | |
| 输出电容(Coss) | 930pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.36/个 |
| 10+ | ¥2.7/个 |
| 30+ | ¥2.36/个 |
| 100+ | ¥2.03/个 |
| 500+ | ¥1.76/个 |
| 1000+ | ¥1.66/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.591
5000 PCS/盘
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