反向传输电容(Crss):115pF@15V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):19W,输入电容(Ciss):930pF@15V,连续漏极电流(Id):24A,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.616/个 |
| 50+ | ¥0.602/个 |
| 150+ | ¥0.592/个 |
| 500+ | ¥0.583/个 |
| 510+ | ¥0.583/个 |
| 520+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.53636
3000 PCS/盘
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