反向传输电容(Crss):198pF,导通电阻(RDS(on)):7.8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):2110pF,输出电容(Coss):246pF,连续漏极电流(Id):14A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 198pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2110pF | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 配置 | 共漏 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.61/个 |
| 10+ | ¥5.46/个 |
| 30+ | ¥4.83/个 |
| 250+ | ¥3.67/个 |
| 500+ | ¥3.35/个 |
| 1000+ | ¥3.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.39
250 PCS/盘
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