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GT60N12T
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT60N12T
- 商品编号
- C2842560
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00208千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):8.3pF,导通电阻(RDS(on)):10.6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39.6nC@10V,漏源电压(Vdss):120V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):2809.7pF,输出电容(Coss):356.1pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 输入电容(Ciss) | 2809.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 356.1pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 10+ | ¥2.3/个 |
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