反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):0.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):300mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.206/个 |
| 200+ | ¥0.162/个 |
| 600+ | ¥0.138/个 |
| 3000+ | ¥0.115/个 |
| 9000+ | ¥0.103/个 |
| 21000+ | ¥0.0959/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1058
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉27.6元