反向传输电容(Crss):48pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):6.08nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):314pF,输出电容(Coss):59pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.08nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.546/个 |
| 50+ | ¥0.432/个 |
| 150+ | ¥0.375/个 |
| 500+ | ¥0.333/个 |
| 3000+ | ¥0.298/个 |
| 6000+ | ¥0.281/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.27416
3000 PCS/盘
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