反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):800pF,输出电容(Coss):155pF,连续漏极电流(Id):8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |