反向传输电容(Crss):10.3pF,导通电阻(RDS(on)):68mΩ,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.4nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):59.4pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 59.4pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |