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KY1012
扩展库- 品牌名称
- KY(韩景元)
- 厂家型号
- KY1012
- 商品编号
- C3029287
- 商品封装
- SOT-523-3
- 商品毛重
- 0.000026千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):750nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):80mW,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):600mA,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@100uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 80mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@100uA |
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